光谱纯石墨坩埚

光谱纯石墨坩埚特殊制造工艺增强高温耐受性

等静压成型技术

采用冷等静压（CIP）工艺，在200-300 MPa压力下成型，确保坩埚各方向密度均匀，减少内部应力。

均匀的微观结构提高了坩埚的抗热震性能，使其能够在高温下接受快速升降温。

碳化硅涂层维护

在坩埚内壁堆积一层碳化硅（SiC）涂层（厚度50-100μm），SiC的熔点高达2730℃，且化学慵懒极强。

SiC涂层可有用阻挡氧气和熔体的腐蚀，维护石墨基体在高温下不被氧化或腐蚀。